富士通开发出功率强的氮化镓晶体管

       富士通有限公司和富士通实验室有限公司已经开发出一种晶体结构，可以增加氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中的电流和电压。该结构可以有效地使用于微波频带中的 的晶体管的输出功率增加三倍。

富士通开发出的新的GaN晶体管结构

　　富士通新的氮化镓（GaN）晶体结构通过将施加的电压分散到晶体管中来改善工作电压，从而防止晶体管被损坏（其专利正在申请中）。该技术使得GaN器件能够实现被认为是采用氮化铟铝镓（InAlGaN）阻挡层的GaN HEMT的19.9 W / mm栅极宽度的目前世界上最高的功率密度。
　　GaN HEMT技术可用作气象雷达应用中的设备的功率放大器。将开发的技术应用于该领域中，预计雷达的观测范围将扩大2.3倍，能够及早地发现可能会发展成暴雨的积雨云。

富士通开发出的新的GaN HEMT的功率密度创造了新的记录

　　富士通和富士通实验室将对使用该技术的GaN HEMT功率放大器的耐热性和输出性能进行评估，目标是将这种高输出功率，高频GaN HEMT功率放大器商业化，用于雷达系统等应用，包括气候雷达以及到2020财年的5G无线通信系统中。